MTD8600N-T

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भाग संख्या: MTD8600N-T

उत्पादक: Marktech Optoelectronics

श्रेणियाँ: Phototransistors

RoHS

विवरण तालिका: MTD8600N-T

विवरण: Phototransistors Photo Diode 880nm

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विशेष विवरण

उत्पादक: Marktech Optoelectronics

श्रेणियाँ: Phototransistors

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage: 30 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV

Dark Current: 100 nA

Fall Time: 10 us

Maximum On-State Collector Current: 50 mA

Maximum Operating Temperature: + 100 C

Minimum Operating Temperature: - 30 C

Mounting Style: Through Hole

Package / Case: TO-18-2

Pd - Power Dissipation: 250 mW

Peak Wavelength: 880 nm

Product: Phototransistors

Rise Time: 10 us

पोर्च श्रेणी

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Aleksov

Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.

Paolo Giazzi

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