- भाग संख्या
- BC 850B E6327
- उत्पादक
- Infineon Technologies
- श्रेणियाँ
- Bipolar Transistors - BJT
- RoHS
- विवरण तालिका
- विवरण
- Bipolar Transistors - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS
BC 850B E6327
आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं
विशेष विवरण
- उत्पादक
- Infineon Technologies
- श्रेणियाँ
- Bipolar Transistors - BJT
- Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 45 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
- Configuration
- Dual
- Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 250 MHz
- Maximum DC Collector Current
- 200 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- SOT-23-3
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 330 mW
- Series
- BC850
- Transistor Polarity
- NPN
पोर्च श्रेणी
Circuit Protection
162,445 उत्पाद
Connectors
2,428,639 उत्पाद
Electromechanical
556,105 उत्पाद
Embedded Solutions
41,129 उत्पाद
Enclosures
20,894 उत्पाद
Engineering Development Tools
42,996 उत्पाद
Industrial Automation
558,346 उत्पाद
LED Lighting
77,795 उत्पाद
Optoelectronics
109,177 उत्पाद
Passive Components
2,996,719 उत्पाद
Power
323,117 उत्पाद
Semiconductors
567,247 उत्पाद
Sensors
70,154 उत्पाद
Test & Measurement
23,394 उत्पाद
नवीनतम समीक्षा
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CHARLES SANTOS
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