TK099V65Z,LQ

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भाग संख्या: TK099V65Z,LQ

उत्पादक: Toshiba

श्रेणियाँ: MOSFET

RoHS

विवरण तालिका: TK099V65Z,LQ

विवरण: MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN

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विशेष विवरण

उत्पादक: Toshiba

श्रेणियाँ: MOSFET

Channel Mode: Enhancement

Id - Continuous Drain Current: 30 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Mounting Style: SMD/SMT

Number of Channels: 1 Channel

Package / Case: DFN8x8-5

Packaging: Cut Tape, MouseReel, Reel

Pd - Power Dissipation: 230 W

Qg - Gate Charge: 47 nC

Rds On - Drain-Source Resistance: 99 mOhms

Technology: SI

Tradename: DTMOSVI

Transistor Polarity: N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V

Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V

पोर्च श्रेणी

Circuit Protection 162,445 उत्पाद Connectors 2,428,639 उत्पाद Electromechanical 556,105 उत्पाद Embedded Solutions 41,129 उत्पाद Enclosures 20,894 उत्पाद Engineering Development Tools 42,996 उत्पाद Industrial Automation 558,346 उत्पाद LED Lighting 77,795 उत्पाद Optoelectronics 109,177 उत्पाद Passive Components 2,996,719 उत्पाद Power 323,117 उत्पाद Semiconductors 567,247 उत्पाद Sensors 70,154 उत्पाद Test & Measurement 23,394 उत्पाद

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Manuel MAde

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