R5011FNX

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भाग संख्या: R5011FNX

उत्पादक: ROHM Semiconductor

श्रेणियाँ: MOSFET

RoHS

विवरण तालिका: R5011FNX

विवरण: MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 11A

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विशेष विवरण

उत्पादक: ROHM Semiconductor

श्रेणियाँ: MOSFET

Channel Mode: Enhancement

Id - Continuous Drain Current: 11 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Mounting Style: Through Hole

Number of Channels: 1 Channel

Package / Case: TO-220FP-3

Packaging: Bulk

Pd - Power Dissipation: 59 W

Qg - Gate Charge: 30 nC

Rds On - Drain-Source Resistance: 520 mOhms

Technology: SI

Transistor Polarity: N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V

Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V

पोर्च श्रेणी

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Eddy Hustinx

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Raymond de Vries

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