IQE013N04LM6CGATMA1

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भाग संख्या: IQE013N04LM6CGATMA1

उत्पादक: Infineon Technologies

श्रेणियाँ: MOSFET

RoHS

विवरण तालिका: IQE013N04LM6CGATMA1

विवरण: MOSFET TRENCH <= 40V

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विशेष विवरण

उत्पादक: Infineon Technologies

श्रेणियाँ: MOSFET

Channel Mode: Enhancement

Id - Continuous Drain Current: 205 A

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Mounting Style: SMD/SMT

Number of Channels: 1 Channel

Package / Case: TTFN-9-1

Packaging: Cut Tape, MouseReel, Reel

Pd - Power Dissipation: 107 W

Qg - Gate Charge: 20 nC

Rds On - Drain-Source Resistance: 1.35 mOhms

Technology: SI

Transistor Polarity: N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V

Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V

पोर्च श्रेणी

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Works. Find the price of this product is very good

Maxim Krasnov

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Alexey Petrov

Seems well have not tested

Hazel Gooby

I received the product right, thank you very much 2018/12/03 ★★★★★

Haur Su

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